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LM185BYH1.2-SMD、LM185BYH-1.2、LM185BYH-1.2/NOPB对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 LM185BYH1.2-SMD LM185BYH-1.2 LM185BYH-1.2/NOPB

描述 微功耗电压基准二极管 2-TO -55 to 125LM185-1.2 -N / LM285-1.2 -N / LM385-1.2 -N微功耗电压基准二极管 LM185-1.2-N/LM285-1.2-N/LM385-1.2-N Micropower Voltage Reference DiodeLM185-1.2 -N / LM285-1.2 -N / LM385-1.2 -N微功耗电压基准二极管 LM185-1.2-N/LM285-1.2-N/LM385-1.2-N Micropower Voltage Reference Diode

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 电压基准芯片电压基准芯片电压基准芯片

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 2 2 2

封装 TO-46 TO-46-2 TO-46-2

容差 - ±1 % ±1 %

输出电压 1.235 V 1.235 V 1.235 V

输出电流 20 mA 20 mA 20 mA

通道数 - 1 1

输出电压(Max) 1.235 V - 1.235 V

输出电压(Min) - 1.235 V 1.235 V

输出电流(Max) 20 mA - 20 mA

工作温度(Max) 125 ℃ - 125 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

精度 - - 1 %

封装 TO-46 TO-46-2 TO-46-2

工作温度 - -55℃ ~ 125℃ (TA) -55℃ ~ 125℃ (TA)

温度系数 ±50 ppm/℃ ±50 ppm/℃ ±50 ppm/℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tray Tube Box

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Contains Lead Lead Free

ECCN代码 EAR99 - EAR99