CY14B104NA-BA45XI、CY14B104NA-BA45XIT、M68AW256ML70ZB6对比区别

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型号 CY14B104NA-BA45XI CY14B104NA-BA45XIT M68AW256ML70ZB6

描述 4兆位（ 512K ×8 / 256K ×16 ）的nvSRAM 4 Mbit (512K x 8/256K x 16) nvSRAM4兆位（ 512K ×8 / 256K ×16 ）的nvSRAM 4 Mbit (512K x 8/256K x 16) nvSRAM4兆位（ 256K ×16） 3.0V异步SRAM 4 Mbit (256K x16) 3.0V Asynchronous SRAM

数据手册 ---

制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 存储芯片RAM芯片存储芯片

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 48 48 48

封装 FBGA-48 FBGA-48 TFBGA-48

存取时间(Max) 45 ns 45 ns 70 ns

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

电源电压 2.7V ~ 3.6V 2.7V ~ 3.6V 2.7V ~ 3.6V

供电电流 52 mA - -

针脚数 48 - -

存取时间 45 ns - 70.0 ns

电源电压(Max) 3.6 V - -

电源电压(Min) 2.7 V - -

电源电压(DC) - - 3.30 V, 3.60 V (max)

时钟频率 - - 70.0 GHz

位数 - - 16

内存容量 - - 4000000 B

封装 FBGA-48 FBGA-48 TFBGA-48

工作温度 -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Tray Tape & Reel (TR) Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free 无铅 Contains Lead

ECCN代码 3A991.b.2.a 3A991.b.2.a 3A991.b.2.a