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M68AW256ML70ZB6

M68AW256ML70ZB6

数据手册.pdf

4兆位( 256K ×16) 3.0V异步SRAM 4 Mbit 256K x16 3.0V Asynchronous SRAM

SRAM - Asynchronous Memory IC 4Mb 256K x 16 Parallel 70ns 48-TFBGA 7x12


得捷:
IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48TFBGA


艾睿:
SRAM Chip Async Single 3.3V 4M-bit 256K x 16 70ns 48-Pin TFBGA


Win Source:
4 Mbit 256K x16 3.0V Asynchronous SRAM


M68AW256ML70ZB6中文资料参数规格
技术参数

电源电压DC 3.30 V, 3.60 V max

时钟频率 70.0 GHz

位数 16

存取时间 70.0 ns

内存容量 4000000 B

存取时间Max 70 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 2.7V ~ 3.6V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 48

封装 TFBGA-48

外形尺寸

封装 TFBGA-48

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

海关信息

ECCN代码 3A991.b.2.a

M68AW256ML70ZB6引脚图与封装图
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M68AW256ML70ZB6 ST Microelectronics 意法半导体 4兆位( 256K ×16) 3.0V异步SRAM 4 Mbit 256K x16 3.0V Asynchronous SRAM 搜索库存