IRFP4227PBF、IRFP4668PBF、STW30NF20对比区别

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型号 IRFP4227PBF IRFP4668PBF STW30NF20

描述 INFINEON  IRFP4227PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 65 A, 200 V, 25 mohm, 10 V, 5 VINFINEON  IRFP4668PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 130 A, 200 V, 0.008 ohm, 30 V, 5 VN沟道200V - 0.065ヘ - 30A - TO- 220 / TO- 247 / D2PAK低栅极电荷STripFET⑩功率MOSFET N-channel 200V - 0.065ヘ - 30A - TO-220/TO-247/D2PAK Low gate charge STripFET⑩ Power MOSFET

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3

额定功率 330 W 520 W -

针脚数 3 3 -

漏源极电阻 0.025 Ω 0.008 Ω 0.065 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 330 W 520 W 125 W

阈值电压 5 V 5 V 3 V

漏源极电压(Vds) 200 V 200 V 200 V

连续漏极电流(Ids) 65A 130A 15.0 A

上升时间 20 ns 105 ns 15.7 ns

输入电容(Ciss) 4600pF @25V(Vds) 10720pF @50V(Vds) 1597pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 330 W 520 W 125 W

下降时间 31 ns 74 ns 8.8 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 330W (Tc) 520W (Tc) 125W (Tc)

漏源击穿电压 - - 200 V

输入电容 - 10720 pF -

长度 15.87 mm 15.87 mm -

宽度 5.31 mm 5.31 mm -

高度 20.7 mm 20.7 mm -

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3

工作温度 -40℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Not Recommended for New Designs

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/12/17