IRFP4668PBF
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Infineon
英飞凌
分立器件
IRFP4668PBF中文资料参数规格
技术参数
额定功率 520 W
针脚数 3
漏源极电阻 0.008 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 520 W
阈值电压 5 V
输入电容 10720 pF
漏源极电压Vds 200 V
连续漏极电流Ids 130A
上升时间 105 ns
输入电容Ciss 10720pF @50VVds
额定功率Max 520 W
下降时间 74 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 520W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
外形尺寸
长度 15.87 mm
宽度 5.31 mm
高度 20.7 mm
封装 TO-247-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
制造应用 Industrial, 电源管理, Consumer Electronics, Power Management, Industrial, Portable Devices, Consumer Elec, Full-Bridge, Battery Operate, 便携式器材, Power Management
符合标准
RoHS标准
含铅标准 Lead Free
IRFP4668PBF引脚图与封装图 
IRFP4668PBF引脚图
IRFP4668PBF封装图
IRFP4668PBF封装焊盘图
在线购买IRFP4668PBF
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IRFP4668PBF | Infineon 英飞凌 | INFINEON IRFP4668PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 130 A, 200 V, 0.008 ohm, 30 V, 5 V | 搜索库存 |
替代型号IRFP4668PBF
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
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