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BDX53CTU、PHE13007,127、BDX53CG对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BDX53CTU PHE13007,127 BDX53CG

描述 ON Semiconductor BDX53CTU NPN 达林顿晶体管对, 8 A, Vce=100 V, HFE=750, 3引脚 TO-220封装Trans GP BJT NPN 400V 8A 3Pin(3+Tab) TO-220AB RailON SEMICONDUCTOR  BDX53CG  单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 100 V, 65 W, 8 A, 750 hFE

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) NXP (恩智浦) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

耗散功率 60 W 80 W 65 W

击穿电压(集电极-发射极) 100 V 400 V 100 V

最小电流放大倍数(hFE) 750 @3A, 3V 8 @2A, 5V 750

额定功率(Max) 60 W 80 W 65 W

额定电压(DC) - - 100 V

额定电流 - - 8 A

针脚数 - - 3

极性 - - NPN

集电极最大允许电流 - - 8A

直流电流增益(hFE) - - 750

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ - -65 ℃

耗散功率(Max) 60 W - 65000 mW

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

长度 9.9 mm - 10.28 mm

宽度 4.5 mm - 4.82 mm

高度 15.95 mm - 9.28 mm

工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ)

重量 - - 0.004535924 kg

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Tube Rail, Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2016/06/20

ECCN代码 EAR99 - EAR99