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2N6080、SD1477、MRF323对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 2N6080 SD1477 MRF323

描述 射频与微波晶体管130 ... 230兆赫调频模块应用 RF & MICROWAVE TRANSISTORS 130... 230 MHZ FM MODULE APPLICATIONSRF功率双极晶体管VHF移动应用程序 RF POWER BIPOLAR TRANSISTORS VHF MOBILE APPLICATIONSRF功率晶体管NPN硅 RF POWER TRANSISTOR NPN SILICON

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) ST Microelectronics (意法半导体) M/A-Com

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 - Surface Mount Chassis

封装 - M-111 244-04

引脚数 - 6 -

耗散功率 - 270 W 55 W

输出功率 - - 20 W

击穿电压(集电极-发射极) - 18 V 33 V

增益 - 6 dB 11 dB

最小电流放大倍数(hFE) - 10 @5A, 5V 20 @1A, 5V

额定功率(Max) - 270 W 20 W

额定电压(DC) - 18.0 V -

额定电流 - 20.0 A -

最大电流放大倍数(hFE) - 10 @5A, 5V -

工作温度(Max) - 200 ℃ -

工作温度(Min) - -65 ℃ -

耗散功率(Max) - 270000 mW -

封装 - M-111 244-04

长度 - 24.89 mm -

宽度 - 21.97 mm -

高度 - 7.11 mm -

产品生命周期 Active Obsolete Active

包装方式 - Tray Tray

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

工作温度 - 200℃ (TJ) -

ECCN代码 - EAR99 -