RK3055E、RK3055ETL对比区别

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型号 RK3055E RK3055ETL

描述 10V驱动N沟道MOS FET 10V Drive Nch MOS FET10V驱动N沟道MOSFET硅N沟道MOSFET低导通电阻。开关速度快。宽安全工作区（SOA）低电压驱动。轻松驱动电路设计。易于并联使用

数据手册 --

制造商 ROHM Semiconductor (罗姆半导体) ROHM Semiconductor (罗姆半导体)

分类 MOS管MOS管

安装方式 - Surface Mount

引脚数 - 3

封装 CPT TO-252-3

额定电压(DC) - 60.0 V

额定电流 - 8.00 A

通道数 - 1

漏源极电阻 - 150 mΩ

极性 N-CH N-Channel

耗散功率 - 20 W

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V

漏源击穿电压 - 60 V

连续漏极电流(Ids) 8A 8.00 A

上升时间 - 20 ns

输入电容(Ciss) - 520pF @10V(Vds)

额定功率(Max) - 20 W

下降时间 - 20 ns

工作温度(Max) - 150 ℃

工作温度(Min) - 55 ℃

耗散功率(Max) - 20W (Tc)

长度 - 6.5 mm

宽度 - 5.5 mm

高度 - 2.3 mm

封装 CPT TO-252-3

工作温度 - 150℃ (TJ)

产品生命周期 - Obsolete

包装方式 - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free