RK3055ETL
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ROHM Semiconductor
罗姆半导体
分立器件
RK3055ETL中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 60.0 V
额定电流 8.00 A
通道数 1
漏源极电阻 150 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 20 W
漏源极电压Vds 60 V
漏源击穿电压 60 V
连续漏极电流Ids 8.00 A
上升时间 20 ns
输入电容Ciss 520pF @10VVds
额定功率Max 20 W
下降时间 20 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 20W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
外形尺寸
长度 6.5 mm
宽度 5.5 mm
高度 2.3 mm
封装 TO-252-3
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
RK3055ETL引脚图与封装图
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在线购买RK3055ETL
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| RK3055ETL | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | 10V驱动N沟道MOSFET硅N沟道MOSFET低导通电阻。开关速度快。宽安全工作区（SOA）低电压驱动。轻松驱动电路设计。易于并联使用 | 搜索库存 |
替代型号RK3055ETL
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： RK3055ETL 品牌： ROHM Semiconductor 罗姆半导体 封装： SOT-428 N-Channel 60V 8A 150mΩ | 当前型号 | 10V驱动N沟道MOSFET硅N沟道MOSFET低导通电阻。开关速度快。宽安全工作区（SOA）低电压驱动。轻松驱动电路设计。易于并联使用 | 当前型号 |
| 型号： RK3055E 品牌： 罗姆半导体 封装： CPT N-CH 60V 8A | 功能相似 | 10V驱动N沟道MOS FET 10V Drive Nch MOS FET | RK3055ETL和RK3055E的区别 |