FQB5N50CTM、STW20NK50Z、IRF830STRLPBF对比区别

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型号 FQB5N50CTM STW20NK50Z IRF830STRLPBF

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQB5N50CTM  晶体管, MOSFET, N沟道, 5 A, 500 V, 1.14 ohm, 10 V, 4 VN 通道 MDmesh™ SuperMESH™，250V 至 650V，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsN沟道 500V 4.5A

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) VISHAY (威世)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Through Hole Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-263-3 TO-247-3 TO-263-3

漏源极电阻 1.14 Ω 0.23 Ω 1.5 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 73 W 190 W 3.1 W

漏源极电压(Vds) 500 V 500 V 500 V

连续漏极电流(Ids) 5.00 A 17.0 A 4.50 A

上升时间 46 ns 20 ns 16 ns

输入电容(Ciss) 625pF @25V(Vds) 2600pF @25V(Vds) 610pF @25V(Vds)

下降时间 48 ns 15 ns 16 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 73 W 190W (Tc) 3100 mW

额定电压(DC) 500 V 500 V -

额定电流 5.00 A 17.0 A -

额定功率 - 190 W -

通道数 1 1 -

针脚数 3 3 -

阈值电压 4 V 3.75 V -

输入电容 - 2600 pF -

漏源击穿电压 500 V 500 V -

栅源击穿电压 ±30.0 V ±30.0 V -

额定功率(Max) 73 W 190 W -

封装 TO-263-3 TO-247-3 TO-263-3

长度 10.67 mm 15.75 mm -

宽度 9.65 mm 5.15 mm -

高度 4.83 mm 20.15 mm -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)

最小包装 - - 2000

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/06/15 2014/06/16 -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -