SI4116DY-T1-GE3、SI4466DY-T1-E3对比区别

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型号 SI4116DY-T1-GE3 SI4466DY-T1-E3

描述 N 通道 MOSFET，8V 至 25V，Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管，Vishay SemiconductorVISHAY  SI4466DY-T1-E3  场效应管, MOSFET, N沟道, 20V 13.5A 8-SOIC

数据手册 --

制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8

封装 SOIC SOIC

针脚数 8 8

漏源极电阻 7.1 mΩ 9 mΩ

极性 N-Channel N-Channel

耗散功率 5 W 3 W

阈值电压 600 mV 600 mV

漏源极电压(Vds) 25 V 20 V

连续漏极电流(Ids) 18.0 A 13.5 A

上升时间 11 ns -

输入电容(Ciss) 1925pF @15V(Vds) -

下降时间 15 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -

耗散功率(Max) 2.5 W -

漏源击穿电压 - 20.0 V

栅源击穿电压 - ±12.0 V

长度 5 mm -

宽度 4 mm -

高度 1.55 mm -

封装 SOIC SOIC

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -

包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC -