SI4466DY-T1-E3中文资料参数规格
技术参数
针脚数 8
漏源极电阻 9 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 3 W
阈值电压 600 mV
漏源极电压Vds 20 V
漏源击穿电压 20.0 V
栅源击穿电压 ±12.0 V
连续漏极电流Ids 13.5 A
工作温度Max 150 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC
外形尺寸
封装 SOIC
其他
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SI4466DY-T1-E3引脚图与封装图
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在线购买SI4466DY-T1-E3
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SI4466DY-T1-E3 | Vishay Semiconductor 威世 | VISHAY SI4466DY-T1-E3 场效应管, MOSFET, N沟道, 20V 13.5A 8-SOIC | 搜索库存 |
替代型号SI4466DY-T1-E3
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： SI4466DY-T1-E3 品牌： Vishay Semiconductor 威世 封装： SO N-Channel 20V 13.5A 9mΩ | 当前型号 | VISHAY SI4466DY-T1-E3 场效应管, MOSFET, N沟道, 20V 13.5A 8-SOIC | 当前型号 |
| 型号： SI4116DY-T1-GE3 品牌： 威世 封装： SOIC N-Channel 25V 18A | 类似代替 | N 通道 MOSFET，8V 至 25V，Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor | SI4466DY-T1-E3和SI4116DY-T1-GE3的区别 |