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FQB9N50、FQB9N50C、FQB9N50CTM对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FQB9N50 FQB9N50C FQB9N50CTM

描述 500V N沟道MOSFET 500V N-Channel MOSFET500V N沟道MOSFET 500V N-Channel MOSFETFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQB9N50CTM  晶体管, MOSFET, N沟道, 9 A, 500 V, 0.65 ohm, 10 V, 2 V

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管

基础参数对比

安装方式 - - Surface Mount

引脚数 - - 3

封装 D2PAK D2PAK TO-263-3

额定电压(DC) - - 500 V

额定电流 - - 9.00 A

通道数 - - 1

针脚数 - - 3

漏源极电阻 - - 0.65 Ω

极性 N-CH N-CH N-Channel

耗散功率 - - 135 W

阈值电压 - - 2 V

漏源极电压(Vds) 500 V 500 V 500 V

漏源击穿电压 - - 500 V

栅源击穿电压 - - ±30.0 V

连续漏极电流(Ids) 9A 9A 9.00 A

上升时间 - - 65 ns

输入电容(Ciss) - - 1030pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - - 135 W

下降时间 - - 64 ns

工作温度(Max) - - 150 ℃

工作温度(Min) - - -55 ℃

耗散功率(Max) - - 135W (Tc)

长度 - - 10.67 mm

宽度 - - 9.65 mm

高度 - - 4.83 mm

封装 D2PAK D2PAK TO-263-3

工作温度 - - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Unknown Active

包装方式 - - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/06/15

ECCN代码 - - EAR99