NVD5117PLT4G、SUD50P06-15-GE3对比区别

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型号 NVD5117PLT4G SUD50P06-15-GE3

描述 ON SEMICONDUCTOR  NVD5117PLT4G  场效应管, MOSFET, P沟道, -60V, 0.016Ω, -61A, TO-252-3P通道60 -V （D -S ）的MOSFET P-Channel 60-V (D-S) MOSFET

数据手册 --

制造商 ON Semiconductor (安森美) VISHAY (威世)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3

封装 TO-252-3 TO-252-3

通道数 1 -

针脚数 3 3

漏源极电阻 0.016 Ω 0.012 Ω

极性 P-Channel P-Channel

耗散功率 118 W 2.5 W

阈值电压 1.5 V 3 V

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V

连续漏极电流(Ids) 11A -50.0 A

上升时间 195 ns 70 ns

输入电容(Ciss) 4800pF @25V(Vds) 4950pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 4.1 W 113 W

下降时间 132 ns 175 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 4.1W (Ta), 118W (Tc) 2500 mW

封装 TO-252-3 TO-252-3

长度 - 6.73 mm

宽度 - 6.22 mm

高度 - 2.38 mm

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

最小包装 - 2000

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 -