SIHG30N60E-E3、SIHG30N60E-GE3对比区别
型号 SIHG30N60E-E3 SIHG30N60E-GE3
描述 N 通道 MOSFET，E 系列，低品质因数，Vishay SemiconductorVishay E 系列 MOSFET 电源是高电压晶体管，具有超低最大接通电阻、低灵敏值和快速切换功能。 它们提供各种电流额定值。 典型应用包括服务器和电信电源、LED 照明、回扫转换器、功率因数校正 (PFC) 和开关模式电源 (SMPS)。### 特点低灵敏值 (FOM) RDS(on) x Qg 低输入电容 (Ciss) 低接通电阻（RDS（接通）） 超低栅极电荷 (Qg) 快速切换 减少切换和传导损耗 ### MOSFET 晶体管，Vishay SemiconductorVISHAY SIHG30N60E-GE3 场效应管, MOSFET, N沟道, 600V, 29A, TO-247AC-3
数据手册 --
制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世)
分类 MOS管中高压MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole
引脚数 3 3
封装 TO-247 TO-247
漏源极电阻 0.104 Ω 0.104 Ω
极性 N-Channel N-Channel
耗散功率 250 W 250 W
阈值电压 2 V 2 V
漏源极电压(Vds) 600 V 600 V
上升时间 32 ns -
输入电容(Ciss) 2600pF @100V(Vds) 2600pF @10V(Vds)
下降时间 36 ns -
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 250 W 250 W
针脚数 - 3
长度 15.87 mm 15.87 mm
宽度 5.31 mm 5.31 mm
高度 20.7 mm 20.82 mm
封装 TO-247 TO-247
工作温度 -55℃ ~ 150℃ -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free