SIHG30N60E-E3中文资料参数规格
技术参数
漏源极电阻 0.104 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 250 W
阈值电压 2 V
漏源极电压Vds 600 V
上升时间 32 ns
输入电容Ciss 2600pF @100VVds
下降时间 36 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 250 W
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247
外形尺寸
长度 15.87 mm
宽度 5.31 mm
高度 20.7 mm
封装 TO-247
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SIHG30N60E-E3引脚图与封装图
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在线购买SIHG30N60E-E3
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SIHG30N60E-E3 | Vishay Semiconductor 威世 | N 通道 MOSFET，E 系列，低品质因数，Vishay Semiconductor Vishay E 系列 MOSFET 电源是高电压晶体管，具有超低最大接通电阻、低灵敏值和快速切换功能。 它们提供各种电流额定值。 典型应用包括服务器和电信电源、LED 照明、回扫转换器、功率因数校正 PFC 和开关模式电源 SMPS。 ### 特点 低灵敏值 FOM RDSon x Qg 低输入电容 Ciss 低接通电阻（RDS（接通）） 超低栅极电荷 Qg 快速切换 减少切换和传导损耗 ### MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor | 搜索库存 |
替代型号SIHG30N60E-E3
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： SIHG30N60E-E3 品牌： Vishay Semiconductor 威世 封装： N-Channel | 当前型号 | N 通道 MOSFET，E 系列，低品质因数，Vishay SemiconductorVishay E 系列 MOSFET 电源是高电压晶体管，具有超低最大接通电阻、低灵敏值和快速切换功能。 它们提供各种电流额定值。 典型应用包括服务器和电信电源、LED 照明、回扫转换器、功率因数校正 PFC 和开关模式电源 SMPS。### 特点低灵敏值 FOM RDSon x Qg 低输入电容 Ciss 低接通电阻（RDS（接通）） 超低栅极电荷 Qg 快速切换 减少切换和传导损耗 ### MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor | 当前型号 |
| 型号： SIHG30N60E-GE3 品牌： 威世 封装： TO-247AC N-Channel | 类似代替 | VISHAY SIHG30N60E-GE3 场效应管, MOSFET, N沟道, 600V, 29A, TO-247AC-3 | SIHG30N60E-E3和SIHG30N60E-GE3的区别 |