IRF7811A、IRF7811AVPBF、IRF7811AV对比区别

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型号 IRF7811A IRF7811AVPBF IRF7811AV

描述 SOIC N-CH 28V 11AINFINEON  IRF7811AVPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 10.8 A, 30 V, 0.011 ohm, 4.5 V, 3 VSOIC N-CH 30V 10.8A

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

额定功率 - 3.5 W -

针脚数 - 8 -

漏源极电阻 8.70 Ω 0.011 Ω -

极性 N-CH N-Channel N-Channel

耗散功率 2.5W (Ta) 2.5 W 3.50 W

阈值电压 - 3 V -

漏源极电压(Vds) 28 V 30 V 30 V

连续漏极电流(Ids) 11.4 A 10.8A 10.8 A

上升时间 4.10 ns 21 ns 21.0 ns

输入电容(Ciss) 1760pF @15V(Vds) 1801pF @10V(Vds) 1801pF @10V(Vds)

额定功率(Max) - 2.5 W 2.5 W

下降时间 - 10 ns -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

耗散功率(Max) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta) -

额定电压(DC) 28.0 V - 30.0 V

额定电流 11.4 A - 14.0 A

产品系列 IRF7811A - IRF7811AV

漏源击穿电压 28.0 V (max) - 30.0 V

长度 - 5 mm -

宽度 - 4 mm -

高度 - 1.5 mm -

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Bulk Rail, Tube Tube

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead 无铅 Contains Lead

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -