IRF7811A
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
分立器件
IRF7811A中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 28.0 V
额定电流 11.4 A
漏源极电阻 8.70 Ω
极性 N-CH
耗散功率 2.5W Ta
产品系列 IRF7811A
漏源极电压Vds 28 V
漏源击穿电压 28.0 V max
连续漏极电流Ids 11.4 A
上升时间 4.10 ns
输入电容Ciss 1760pF @15VVds
耗散功率Max 2.5W Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
外形尺寸
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
IRF7811A引脚图与封装图
暂无图片
替代型号IRF7811A
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IRF7811A 品牌： Infineon 英飞凌 封装： SOIC N-CH 28V 11.4A 8.7Ω | 当前型号 | SOIC N-CH 28V 11A | 当前型号 |
| 型号： IRF7811AVPBF 品牌： 英飞凌 封装： SOIC N-Channel 30V 10.8A | 类似代替 | INFINEON IRF7811AVPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 10.8 A, 30 V, 0.011 ohm, 4.5 V, 3 V | IRF7811A和IRF7811AVPBF的区别 |
| 型号： IRF7811AV 品牌： 英飞凌 封装： SOIC N-Channel 30V 10.8A | 功能相似 | SOIC N-CH 30V 10.8A | IRF7811A和IRF7811AV的区别 |