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STD30NE06L、STD30NE06LT4、NTE2380对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 STD30NE06L STD30NE06LT4 NTE2380

描述 N - CHANNEL 60V - 0.025欧姆 - 30A TO- 252的STripFET功率MOSFET N - CHANNEL 60V - 0.025 ohm - 30A TO-252 STripFET POWER MOSFET晶体管| MOSFET | N沟道| 60V V( BR ) DSS | 30A I( D) | TO- 252AA TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 30A I(D) | TO-252AATO-220 N-CH 500V 2.5A

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) NTE Electronics

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Through Hole

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-220

引脚数 - - 3

额定电压(DC) 60.0 V 60.0 V -

额定电流 30.0 A 30.0 A -

漏源极电阻 22.0 mΩ 22.0 mΩ 3 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 55W (Tc) 55W (Tc) 40 W

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 500 V

漏源击穿电压 60.0 V 60.0 V 500 V

栅源击穿电压 ±20.0 V ±20.0 V -

连续漏极电流(Ids) 30.0 A 30.0 A 2.50 A

输入电容(Ciss) 2370pF @25V(Vds) 2370pF @25V(Vds) -

耗散功率(Max) 55W (Tc) 55W (Tc) -

阈值电压 - - 4 V

工作温度(Max) - - 150 ℃

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-220

工作温度 175℃ (TJ) 175℃ (TJ) -

产品生命周期 Obsolete Obsolete Active

包装方式 Tape Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -

ECCN代码 - - EAR99

HTS代码 - - 85412900951