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JAN2N5667、JANTXV2N5667S、2N5667对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 JAN2N5667 JANTXV2N5667S 2N5667

描述 NPN硅功率开关晶体管 NPN POWER SILICON SWITCHING TRANSISTORNPN硅功率开关晶体管 NPN POWER SILICON SWITCHING TRANSISTOR每NPN功率硅开关晶体管合格MIL -PRF- 455分之19500 NPN POWER SILICON SWITCHING TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/455

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 2 3 3

封装 TO-5 TO-205 TO-5

耗散功率 - 1200 mW 1200 mW

工作温度(Max) - 200 ℃ 200 ℃

工作温度(Min) - -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) - 1200 mW 1200 mW

极性 - NPN -

击穿电压(集电极-发射极) 300 V 300 V -

集电极最大允许电流 - 5A -

最小电流放大倍数(hFE) 25 @1A, 5V 25 @1A, 5V -

额定功率(Max) 1.2 W 1.2 W -

封装 TO-5 TO-205 TO-5

材质 - Silicon Silicon

工作温度 -65℃ ~ 200℃ (TJ) -65℃ ~ 200℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Bulk Bag Bag

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant

含铅标准 -