JAN2N5667
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
JAN2N5667中文资料参数规格
技术参数
击穿电压集电极-发射极 300 V
最小电流放大倍数hFE 25 @1A, 5V
额定功率Max 1.2 W
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 2
封装 TO-5
外形尺寸
封装 TO-5
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准
含铅标准
JAN2N5667引脚图与封装图
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在线购买JAN2N5667
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| JAN2N5667 | Microsemi 美高森美 | NPN硅功率开关晶体管 NPN POWER SILICON SWITCHING TRANSISTOR | 搜索库存 |
替代型号JAN2N5667
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： JAN2N5667 品牌： Microsemi 美高森美 封装： TO-5 | 当前型号 | NPN硅功率开关晶体管 NPN POWER SILICON SWITCHING TRANSISTOR | 当前型号 |
| 型号： JANS2N5667 品牌： 美高森美 封装： TO-5 NPN 1200mW | 完全替代 | NPN硅功率开关晶体管 NPN POWER SILICON SWITCHING TRANSISTOR | JAN2N5667和JANS2N5667的区别 |
| 型号： 2N5667 品牌： 美高森美 封装： TO-5 1200mW | 完全替代 | 每NPN功率硅开关晶体管合格MIL -PRF- 455分之19500 NPN POWER SILICON SWITCHING TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/455 | JAN2N5667和2N5667的区别 |
| 型号： JAN2N5667S 品牌： 美高森美 封装： TO-39 NPN | 类似代替 | NPN硅功率开关晶体管 NPN POWER SILICON SWITCHING TRANSISTOR | JAN2N5667和JAN2N5667S的区别 |
