SST201-T1-E3、PMBF4392,215、PMBF4393,215对比区别

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型号 SST201-T1-E3 PMBF4392,215 PMBF4393,215

描述 VISHAY SST201-T1-E3 JFET Transistor, JFET, -40V, 200A, 1mA, -1.5V, TO-236, JFETPMBF4392 系列 对称 硅 N 沟道 场效应晶体管 - SOT-23N 通道 JFET，NXP### JFET 晶体管一系列 JFET（接线场效应晶体管）和 HEMT/HFET（高电子迁移率晶体管/异质结 FET）分立半导体设备。

数据手册 ---

制造商 Vishay Siliconix NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 JFET晶体管JFET晶体管JFET晶体管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

耗散功率 350 mW 250 mW 250 mW

漏源极电压(Vds) - 40 V 40 V

击穿电压 40 V 40 V 40 V

输入电容(Ciss) 4.5pF @15V(Vds) 14pF @20V(Vds) 14pF @20V(Vds)

额定功率(Max) 350 mW 250 mW 250 mW

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) - 250 mW 250 mW

击穿电压 -40.0 V - 40.0 V

极性 N-Channel - -

漏源击穿电压 -300 mV - -

栅源击穿电压 -1.50 V - -

连续漏极电流(Ids) 1.00 mA - -

针脚数 - - 3

漏源极电阻 - - 100 Ω

长度 - 3 mm 3 mm

宽度 - 1.4 mm 1.4 mm

高度 - 1 mm 1 mm

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

材质 - - Silicon

产品生命周期 End of Life Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17