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PMBF4392,215

PMBF4392,215

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NXP(恩智浦) 分立器件

PMBF4392 系列 对称 硅 N 沟道 场效应晶体管 - SOT-23

Easily implement this JFET from Semiconductors in your electronic circuit to use it as an electrical switch, amplifier, or voltage-controlled resistor. Its maximum power dissipation is 250 mW. In order to ensure safe delivery and enable quick mounting of this component after delivery, it will be encased in tape and reel packaging during shipment. It is made in a single configuration. This junction field effect transistor has an operating temperature range of -65 °C to 150 °C.

PMBF4392,215中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 250 mW

漏源极电压Vds 40 V

击穿电压 40 V

输入电容Ciss 14pF @20VVds

额定功率Max 250 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 250 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 3 mm

宽度 1.4 mm

高度 1 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

PMBF4392,215引脚图与封装图
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在线购买PMBF4392,215
型号 制造商 描述 购买
PMBF4392,215 NXP 恩智浦 PMBF4392 系列 对称 硅 N 沟道 场效应晶体管 - SOT-23 搜索库存
替代型号PMBF4392,215
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： PMBF4392,215

品牌： NXP 恩智浦

封装： TO-236-3

当前型号

PMBF4392 系列 对称 硅 N 沟道 场效应晶体管 - SOT-23

当前型号

型号： MMBFJ203

品牌： 飞兆/仙童

封装： TO-236-3 350mW

功能相似

MMBFJ203 N沟道结型场效应管 40v 4~20mA SOT-23 marking/标记 62R 低级别的 radio

PMBF4392,215和MMBFJ203的区别

型号： SST201-T1-E3

品牌： Vishay Siliconix

封装： TO-236-3 N-Channel 350mW

功能相似

VISHAY SST201-T1-E3 JFET Transistor, JFET, -40V, 200A, 1mA, -1.5V, TO-236, JFET

PMBF4392,215和SST201-T1-E3的区别

型号： SST4119-T1-E3

品牌： Vishay Siliconix

封装： TO-236-3

功能相似

JFET N-CH 70V 200uA SOT-23

PMBF4392,215和SST4119-T1-E3的区别