70T651S10BFG、IDT70T3519S133BF、70T651S10BFG8对比区别

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型号 70T651S10BFG IDT70T3519S133BF 70T651S10BFG8

描述 静态随机存取存储器 256K x 36 Async 3.3V 2.5V Dual-Port RAMHIGH -SPEED 2.5V一百二十八分之二百五十六/ 64K ×36同步双端口静态3.3V或2.5V接口RAM HIGH-SPEED 2.5V 256/128/64K x 36 SYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACESRAM 256K x 36 Async 3.3V 2.5V Dual-Port RAM

数据手册 ---

制造商 Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌)

分类 RAM芯片存储芯片存储芯片

引脚数 208 - 208

封装 CABGA-208 LFBGA CABGA-208

长度 15 mm - 15 mm

宽度 15 mm - 15 mm

高度 1.4 mm - 1.4 mm

封装 CABGA-208 LFBGA CABGA-208

厚度 1.40 mm - 1.40 mm

工作温度 0℃ ~ 70℃ - -

产品生命周期 Active Unknown Active

包装方式 Tray Tray Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant - RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - Lead Free

ECCN代码 - 3A991 -