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PD55003S、PD55003STR-E、PD55003-E对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 PD55003S PD55003STR-E PD55003-E

描述 RF功率晶体管的LDMOST塑料系列 RF POWER TRANSISTORS The LdmoST Plastic FAMILYRF功率晶体管, LDMOST塑料家族的N沟道增强模式,横向MOSFET的 RF POWER transistor, LdmoST plastic family N-channel enhancement-mode, lateral MOSFETsSTMICROELECTRONICS  PD55003-E  晶体管, 射频FET, 40 V, 2.5 A, 31.7 W, 1 GHz, PowerSO-10RF

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 晶体管晶体管MOS管

基础参数对比

封装 PowerSO-10 PowerSO-10 PowerSO-10RF

安装方式 - Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 3 3

频率 500 MHz 500 MHz 500 MHz

额定电流 2.5 A - 2.5 A

极性 N-Channel - N-Channel

耗散功率 31.7 W 31700 mW 31.7 W

漏源击穿电压 40.0 V - 40 V

栅源击穿电压 ±20.0 V - -

连续漏极电流(Ids) 2.50 A - 2.50 A

输出功率 3 W 3 W 3 W

增益 17 dB 17 dB 17 dB

测试电流 50 mA 50 mA 50 mA

额定电压 40 V 40 V 40 V

输入电容(Ciss) - 36pF @12.5V(Vds) 36pF @12.5V(Vds)

工作温度(Max) - 165 ℃ 165 ℃

工作温度(Min) - -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) - 31700 mW 31700 mW

额定电压(DC) - - 40.0 V

针脚数 - - 3

漏源极电压(Vds) - - 40 V

封装 PowerSO-10 PowerSO-10 PowerSO-10RF

长度 - - 7.5 mm

宽度 - - 9.4 mm

高度 - - 3.5 mm

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

ECCN代码 - EAR99 EAR99

香港进出口证 - - NLR

工作温度 - - -65℃ ~ 165℃