频率 500 MHz
额定电流 2.5 A
极性 N-Channel
耗散功率 31.7 W
漏源击穿电压 40.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 2.50 A
输出功率 3 W
增益 17 dB
测试电流 50 mA
额定电压 40 V
封装 PowerSO-10
封装 PowerSO-10
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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PD55003S | ST Microelectronics 意法半导体 | RF功率晶体管的LDMOST塑料系列 RF POWER TRANSISTORS The LdmoST Plastic FAMILY | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: PD55003S 品牌: ST Microelectronics 意法半导体 封装: PowerSO-10 N-Channel 31.7W | 当前型号 | RF功率晶体管的LDMOST塑料系列 RF POWER TRANSISTORS The LdmoST Plastic FAMILY | 当前型号 | |
型号: PD55003S-E 品牌: 意法半导体 封装: PowerSO-10RF 40V 2.5A | 类似代替 | 射频金属氧化物半导体场效应RF MOSFET晶体管 POWER R.F. | PD55003S和PD55003S-E的区别 | |
型号: PD55003 品牌: 意法半导体 封装: PowerSO-10 N-Channel 31700mW | 类似代替 | RF功率晶体管的LDMOST塑料系列 RF POWER TRANSISTORS The LdmoST Plastic FAMILY | PD55003S和PD55003的区别 |