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BZT52C9V1S-7-F、MM3Z9V1T1G、PDZ9.1B,115对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BZT52C9V1S-7-F MM3Z9V1T1G PDZ9.1B,115

描述 DIODES INC.  BZT52C9V1S-7-F  单管二极管 齐纳, 9.1 V, 200 mW, SOD-323, 6 %, 2 引脚, 150 °CON SEMICONDUCTOR  MM3Z9V1T1G  单管二极管 齐纳, 9.1 V, 300 mW, SOD-323, 5 %, 2 引脚, 150 °CNXP PDZ9.1B,115 单路 齐纳二极管, 9.1V 2% 400 mW, 2引脚 SOD-323封装

数据手册 ---

制造商 Diodes (美台) ON Semiconductor (安森美) Nexperia (安世)

分类 齐纳二极管齐纳二极管齐纳二极管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 2 2 2

封装 SOD-323 SOD-323 SOD-323-2

容差 ±6 % ±5 % ±2 %

针脚数 2 2 2

正向电压 900mV @10mA 900mV @10mA 1.1V @100mA

耗散功率 200 mW 200 mW 400 mW

测试电流 5 mA 5 mA 5 mA

稳压值 9.1 V 9.1 V 9.1 V

额定功率(Max) 200 mW 300 mW 400 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 200 mW 300 mW 400 mW

额定电压(DC) 9.10 V 9.10 V -

额定功率 200 mW 200 mW -

输出电流 ≤50.0 mA - -

正向电压(Max) 900mV @10mA 900mV @10mA -

击穿电压 - 9.6 V -

正向电流 - 10 mA -

工作结温(Max) - 150 ℃ -

长度 1.8 mm 1.8 mm 1.8 mm

宽度 1.4 mm 1.35 mm 1.35 mm

高度 1 mm 1 mm 1.05 mm

封装 SOD-323 SOD-323 SOD-323-2

工作温度 -65℃ ~ 150℃ -65℃ ~ 150℃ -65℃ ~ 150℃

温度系数 5.4 mV/℃ 5.4 mV/K 5.5 mV/K

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free 无铅

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -