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TLV71211DBVT、TLV71211DSER、TLV71211DBVR对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 TLV71211DBVT TLV71211DSER TLV71211DBVR

描述 300毫安,亚带隙输出电压,低IQ ,低压降稳压器 300-mA, Sub-Bandgap Output Voltage, Low-IQ, Low-Dropout Regulator300毫安,亚带隙输出电压,低IQ ,低压降稳压器 300-mA, Sub-Bandgap Output Voltage, Low-IQ, Low-Dropout Regulator300毫安,亚带隙输出电压,低IQ ,低压降稳压器 300-mA, Sub-Bandgap Output Voltage, Low-IQ, Low-Dropout Regulator

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 稳压芯片稳压芯片稳压芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 5 6 5

封装 SOT-23-5 WFDFN-6 SOT-23-5

输出接口数 1 1 1

输出电压 1.1 V 1.1 V 1.1 V

输出电流 300 mA 300 mA 300 mA

供电电流 - 55µA ~ 370µA 55µA ~ 370µA

耗散功率 0.5 W 0.555 W 0.5 W

静态电流 35.0 µA 35.0 µA 35.0 µA

输出电容类型 Ceramic Ceramic Ceramic

跌落电压 260 mV 260 mV 260 mV

调节输出数 1 1 1

输入电压(Max) 5.5 V 5.5 V 5.5 V

输入电压(Min) 2 V 2 V 2 V

输出电压(Min) - 1.1 V 1.1 V

输出电流(Max) 0.3 A 0.3 A 0.3 A

工作温度(Max) 125 ℃ 125 ℃ 125 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

耗散功率(Max) 500 mW 555 mW 500 mW

精度 ±2 % ±2 % ±2 %

输入电压 2V ~ 5.5V 5.5 V 2V ~ 5.5V

封装 SOT-23-5 WFDFN-6 SOT-23-5

工作温度 -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 125℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 - - EAR99