CY7C199C-12ZC、IS61C256AL-12JLI、IS61C256AL-12JLI-TR对比区别

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型号 CY7C199C-12ZC IS61C256AL-12JLI IS61C256AL-12JLI-TR

描述 32K x 8静态RAM 32K x 8 Static RAMINTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI)  IS61C256AL-12JLI  芯片, 存储器, SRAM, 256KB, 12NS, SOJ-28RAM，ISSI**ISSI** 静态 RAM 产品使用高性能 CMOS 技术。 提供各种静态 RAM，其中包括 5V 高速异步 SRAM、高速低功率异步 SRAM、5V 低功率类型异步 SRAM、超低功率 CMOS 静态 RAM 和 PowerSaverTM 低功率异步 SRAM。 ISSI SRAM 设备提供各种电压、存储器大小和不同的组织。 它们适用于以下应用，如 CPU 缓存、嵌入式处理器、硬盘和工业电子开关。 电源：1.8V/3.3V/5V 提供的封装：BGA、SOJ、SOP、sTSOP、TSOP 提供的配置选择：x8 和 x16 ECC 功能可用于高速异步 SRAM ### SRAM（静态随机存取存储器）

数据手册 ---

制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI)

分类 存储芯片RAM芯片RAM芯片

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 28 28 28

封装 TSOP-28 BSOJ-28 SOJ-28

电源电压(DC) 5.00 V, 5.50 V (max) 5.00 V, 5.50 V (max) 5.00 V, 5.50 V (max)

工作电压 - 5 V -

针脚数 - 28 -

位数 - 8 8

存取时间 12.0 ns 12 ns 12 ns

内存容量 256000 B 32000 B 256000 B

存取时间(Max) - 12 ns 12 ns

工作温度(Max) 70 ℃ 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ -40 ℃ -40 ℃

电源电压 4.5V ~ 5.5V 4.5V ~ 5.5V 4.5V ~ 5.5V

供电电流 - - 40 mA

时钟频率 12.0 GHz - -

长度 - 18.54 mm 18.54 mm

宽度 - 7.75 mm 7.75 mm

高度 1.02 mm 2.67 mm 2.67 mm

封装 TSOP-28 BSOJ-28 SOJ-28

工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Bulk Each Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/06/15 -

ECCN代码 - EAR99 EAR99