CY7C199C-12ZC
数据手册.pdfCypress Semiconductor(赛普拉斯)
电子元器件分类
CY7C199C-12ZC中文资料参数规格
技术参数
电源电压DC 5.00 V, 5.50 V max
时钟频率 12.0 GHz
存取时间 12.0 ns
内存容量 256000 B
工作温度Max 70 ℃
工作温度Min 0 ℃
电源电压 4.5V ~ 5.5V
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 28
封装 TSOP-28
外形尺寸
高度 1.02 mm
封装 TSOP-28
物理参数
工作温度 0℃ ~ 70℃ TA
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准
含铅标准
CY7C199C-12ZC引脚图与封装图
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在线购买CY7C199C-12ZC
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| CY7C199C-12ZC | Cypress Semiconductor 赛普拉斯 | 32K x 8静态RAM 32K x 8 Static RAM | 搜索库存 |
替代型号CY7C199C-12ZC
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： CY7C199C-12ZC 品牌： Cypress Semiconductor 赛普拉斯 封装： TSOP-I 256000B 5V 12ns | 当前型号 | 32K x 8静态RAM 32K x 8 Static RAM | 当前型号 |
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| 型号： IS61C256AL-12JLI-TR 品牌： Integrated Silicon SolutionISSI 封装： SOJ-28 256000B 5V 12ns | 功能相似 | RAM，ISSI**ISSI** 静态 RAM 产品使用高性能 CMOS 技术。 提供各种静态 RAM，其中包括 5V 高速异步 SRAM、高速低功率异步 SRAM、5V 低功率类型异步 SRAM、超低功率 CMOS 静态 RAM 和 PowerSaverTM 低功率异步 SRAM。 ISSI SRAM 设备提供各种电压、存储器大小和不同的组织。 它们适用于以下应用，如 CPU 缓存、嵌入式处理器、硬盘和工业电子开关。 电源：1.8V/3.3V/5V 提供的封装：BGA、SOJ、SOP、sTSOP、TSOP 提供的配置选择：x8 和 x16 ECC 功能可用于高速异步 SRAM ### SRAM（静态随机存取存储器） | CY7C199C-12ZC和IS61C256AL-12JLI-TR的区别 |