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BSS119L6327、DMG6968U-7、2N6660对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BSS119L6327 DMG6968U-7 2N6660

描述 MOSFET N-CH 100V 170mA SOT-23DMG6968 系列 20 V 25 mOhm N 沟道 增强模式 晶体管 SOT-23-3晶体管, MOSFET, DMOS, N沟道, 410 mA, 60 V, 3 ohm, 10 V, 2 V

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Diodes (美台) Microchip (微芯)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 TO-39-3

额定功率 - 1.3 W -

针脚数 - 3 3

漏源极电阻 - 0.021 Ω 3 Ω

极性 N-Channel N-Channel -

耗散功率 - 1.3 W 6.25 W

阈值电压 - 500 mV 2 V

输入电容 - 151 pF -

漏源极电压(Vds) 100 V 20 V 60 V

连续漏极电流(Ids) - 6.5A -

上升时间 - 66 ns -

输入电容(Ciss) 78pF @25V(Vds) 151pF @10V(Vds) 50pF @24V(Vds)

额定功率(Max) 360 mW 810 mW -

下降时间 - 205 ns -

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ 55 ℃

耗散功率(Max) - 1300 mW 6.25W (Tc)

通道数 - - 1

漏源击穿电压 - - 60 V

长度 - 3 mm -

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 TO-39-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

材质 - - Silicon

产品生命周期 Obsolete Active Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

军工级 - Yes -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 - EAR99 -