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BSS119L6327

BSS119L6327

数据手册.pdf
Infineon 英飞凌 分立器件
BSS119L6327中文资料参数规格
技术参数

极性 N-Channel

漏源极电压Vds 100 V

输入电容Ciss 78pF @25VVds

额定功率Max 360 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

BSS119L6327引脚图与封装图
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在线购买BSS119L6327
型号 制造商 描述 购买
BSS119L6327 Infineon 英飞凌 MOSFET N-CH 100V 170mA SOT-23 搜索库存
替代型号BSS119L6327
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: BSS119L6327

品牌: Infineon 英飞凌

封装: TO-236-3 N-Channel

当前型号

MOSFET N-CH 100V 170mA SOT-23

当前型号

型号: 2N7002ET1G

品牌: 安森美

封装: SOT-23-3 N-Channel 60V 310mA

功能相似

ON SEMICONDUCTOR  2N7002ET1G  晶体管, MOSFET, N沟道, 310 mA, 60 V, 0.86 ohm, 10 V, 1 V

BSS119L6327和2N7002ET1G的区别

型号: BSS123-7-F

品牌: 美台

封装: SOT-23 N-Channel 100V 170mA 10Ω

功能相似

三极管

BSS119L6327和BSS123-7-F的区别

型号: DMG6968U-7

品牌: 美台

封装: SOT23-3 N-Channel 20V 6.5A

功能相似

DMG6968 系列 20 V 25 mOhm N 沟道 增强模式 晶体管 SOT-23-3

BSS119L6327和DMG6968U-7的区别