STD3N62K3、STP3N62K3、FQD5N60CTM对比区别

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型号 STD3N62K3 STP3N62K3 FQD5N60CTM

描述 N 通道 MDmesh™ K3 系列，SuperMESH3™, STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsN 通道 MDmesh™ K3 系列，SuperMESH3™, STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQD5N60CTM  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 2.8 A, 600 V, 2 ohm, 10 V, 4 V

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Through Hole Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-252-3 TO-220-3 TO-252-3

漏源极电阻 2.2 Ω - 2 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 45 W 45 W 49 W

阈值电压 3.75 V - 4 V

漏源极电压(Vds) 620 V 620 V 600 V

连续漏极电流(Ids) 2.7A - 2.80 A

上升时间 6.8 ns 6.8 ns 42 ns

输入电容(Ciss) 385pF @25V(Vds) 385pF @25V(Vds) 670pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 45 W 45 W 2.5 W

下降时间 15.6 ns 15.6 ns 46 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 45W (Tc) 45W (Tc) 2.5W (Ta), 49W (Tc)

额定电压(DC) - - 600 V

额定电流 - - 5.00 A

针脚数 - - 3

长度 6.6 mm 10.4 mm 6.73 mm

宽度 6.2 mm 4.6 mm 6.22 mm

高度 2.4 mm 15.75 mm 2.39 mm

封装 TO-252-3 TO-220-3 TO-252-3

工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/06/15

ECCN代码 - - EAR99