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MMBZ5V6AL、MMBZ5V6ALT1G对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MMBZ5V6AL MMBZ5V6ALT1G

描述 NXP  MMBZ5V6AL  静电保护装置, TVS, 8 V, TO-236AB, 3 引脚, 900 mV, 290 mW24W 双齐纳瞬态电压抑制器,ON SemiconductorSOT-23 双共阳极齐纳,用于 ESD 防护。 旨在用于电压和 ESD 敏感设备,如计算机、打印机、商业机器、通信系统、医疗设备和其他应用。### 瞬态电压抑制器,On Semiconductor

数据手册 --

制造商 NXP (恩智浦) ON Semiconductor (安森美)

分类 TVS二极管TVS二极管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3

封装 TO-236 SOT-23-3

工作电压 900 mV 3 V

针脚数 3 3

耗散功率 290 mW 300 mW

钳位电压 8 V 8 V

额定电压(DC) - 5.60 V

额定电流 - 20.0 A

额定功率 - 24.0 W

击穿电压 - 5.32 V

通道数 - 2

正向电压 - 0.9 V

测试电流 - 20 mA

最大反向击穿电压 - 5.88 V

脉冲峰值功率 - 24 W

最小反向击穿电压 - 5.32 V

击穿电压 - 5.32 V

工作温度(Max) - 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃

工作结温 - -55℃ ~ 150℃

耗散功率(Max) - 300 mW

封装 TO-236 SOT-23-3

长度 - 3.04 mm

宽度 - 1.4 mm

高度 - 0.94 mm

产品生命周期 Unknown Active

包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17

含铅标准 - Lead Free

工作温度 - -55℃ ~ 150℃

ECCN代码 - EAR99