JAN2N5416S、JANTX2N5416S、2N5416对比区别

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型号 JAN2N5416S JANTX2N5416S 2N5416

描述 2N5416S 系列 300 V 1 A PNP 低功耗 硅 晶体管 - TO-39-3PNP小功率硅晶体管 PNP LOW POWER SILICON TRANSISTORBJT PNP High Voltage

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Central Semiconductor

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-39 TO-39 TO-39-3

耗散功率 0.75 W 0.75 W 1 W

击穿电压(集电极-发射极) 300 V 300 V 300 V

最小电流放大倍数(hFE) 30 @50mA, 10V 30 @50mA, 10V 30

额定功率(Max) 750 mW 750 mW 1 W

工作温度(Max) 200 ℃ 200 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 750 mW 750 mW 1000 mW

频率 - - 15 MHz

封装 TO-39 TO-39 TO-39-3

长度 - - 9.4 mm

宽度 - - 9.4 mm

高度 - - 6.6 mm

材质 Silicon Silicon Silicon

工作温度 -65℃ ~ 200℃ (TJ) -65℃ ~ 200℃ (TJ) -65℃ ~ 200℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Bag Bag Box

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free