MCP6023-E/P、TS951IN、TLV2620IDR对比区别

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型号 MCP6023-E/P TS951IN TLV2620IDR

描述 MICROCHIP  MCP6023-E/P  运算放大器, 单路, AEC-Q100, 10 MHz, 1个放大器, 7 V/µs, 2.5V 至 5.5V, DIP, 8 引脚输入/输出轨至轨低功耗运算放大器 Input/Output Rail-to-Rail Low Power Operational Amplifier系列低功耗高带宽单电源运算放大器，带有关断的 FAMILY OF LOW-POWER WIDE BANDWIDTH SINGLE SUPPLY OPERATIONAL AMPLIFIERS WITH SHUTDOWN

数据手册 ---

制造商 Microchip (微芯) ST Microelectronics (意法半导体) TI (德州仪器)

分类 运算放大器放大器、缓冲器运算放大器

安装方式 Through Hole Through Hole Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 PDIP-8 DIP-8 SOIC-8

供电电流 1 mA 950 µA 800 µA

电路数 1 1 1

带宽 10 MHz 3 MHz 11 MHz

转换速率 7.00 V/μs 1.00 V/μs 6.00 V/μs

增益频宽积 10 MHz 3 MHz 11 MHz

输入补偿电压 500 µV 6 mV 250 µV

输入偏置电流 1 pA 35 nA 2 pA

工作温度(Max) 125 ℃ 125 ℃ 125 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

增益带宽 10 MHz 3 MHz 11 MHz

电源电压 2.5V ~ 5.5V 2.7V ~ 12V -

电源电压(Max) 5.5V ~ 6V 12 V -

电源电压(DC) 2.50V (min) - -

输出电流 ≤30 mA - -

通道数 1 - 1

针脚数 8 - -

共模抑制比 70 dB - 78 dB

输入补偿漂移 3.50 µV/K - 3.00 µV/K

共模抑制比(Min) 70 dB - 78 dB

耗散功率 - - 0.71 W

过温保护 - - No

耗散功率(Max) - - 710 mW

封装 PDIP-8 DIP-8 SOIC-8

长度 10.16 mm - -

宽度 0.28 in - -

高度 3.3 mm - -

工作温度 -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 125℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Each Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17 2014/06/16 2015/06/15

REACH SVHC标准 No SVHC - -