BFQ19、MRF5812、MRF586对比区别

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型号 BFQ19 MRF5812 MRF586

描述 NXP  BFQ19  晶体管 双极-射频, NPN, 15 V, 5.5 GHz, 1 W, 100 mA, 80 hFE射频与微波离散小功率三极管 RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS射频与微波离散小功率三极管 RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Through Hole

引脚数 3 8 3

封装 SOT-89 SOIC-8 TO-205

针脚数 3 - -

极性 NPN - -

耗散功率 1 W 1250 mW 1 W

最小电流放大倍数(hFE) 25 50 @50mA, 5V 40 @50mA, 5V

测试频率 500 MHz - -

直流电流增益(hFE) 80 - -

工作温度(Max) 150 ℃ - -

工作温度(Min) -65 ℃ - -

频率 - - 3000 MHz

击穿电压(集电极-发射极) - 15 V 17 V

增益 - 13dB ~ 15.5dB 13.5 dB

额定功率(Max) - 1.25 W 1 W

耗散功率(Max) - 1250 mW 1000 mW

封装 SOT-89 SOIC-8 TO-205

高度 - - 6.6 mm

工作温度 -65℃ ~ 150℃ - -

产品生命周期 Unknown Obsolete Active

包装方式 Cut Tape (CT) Bulk Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -