MRF586

Microsemi(美高森美) 分立器件

射频与微波离散小功率三极管 RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS

RF Transistor NPN 17V 200mA 3GHz 1W Through Hole TO-39

得捷:
RF TRANS NPN 17V 3GHZ TO39

艾睿:
Trans RF BJT NPN 20V 0.2A 3-Pin TO-39

富昌:
NPN 1 W 17 V 1 GHz Through Hole RF Microwave Discrete Transistor - TO-39

Verical:
Trans RF BJT NPN 20V 0.2A 3-Pin TO-39

MRF586中文资料参数规格

技术参数

频率 3000 MHz

耗散功率 1 W

击穿电压集电极-发射极 17 V

增益 13.5 dB

最小电流放大倍数hFE 40 @50mA, 5V

额定功率Max 1 W

耗散功率Max 1000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-205

外形尺寸

高度 6.6 mm

封装 TO-205

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Lead Free

MRF586引脚图与封装图

暂无图片

在线购买MRF586

型号	制造商	描述	购买
MRF586	Microsemi 美高森美	射频与微波离散小功率三极管 RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS	搜索库存

替代型号MRF586

型号/品牌/封装	代替类型	描述	替代型号对比
型号： MRF586 品牌： Microsemi 美高森美封装： TO-205AD 1000mW	当前型号	射频与微波离散小功率三极管 RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS	当前型号
型号： BFG35,115 品牌：恩智浦封装： SOT-223 NPN 1000mW	功能相似	NXP BFG35,115 晶体管双极-射频, NPN, 18 V, 4 GHz, 1 W, 150 mA, 70 hFE	MRF586和BFG35,115的区别
型号： BFQ18A,115 品牌：恩智浦封装： TO-243AA NPN 1000mW	功能相似	BFQ18A 系列 18 V 1 W 4 GHz 表面贴装 NPN 宽带晶体管 - SOT-89	MRF586和BFQ18A,115的区别
型号： BFQ19 品牌：恩智浦封装： SOT-89 NPN	功能相似	NXP BFQ19 晶体管双极-射频, NPN, 15 V, 5.5 GHz, 1 W, 100 mA, 80 hFE	MRF586和BFQ19的区别