IPD35N10S3L26ATMA1、STD40NF10对比区别

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型号 IPD35N10S3L26ATMA1 STD40NF10

描述 INFINEON  IPD35N10S3L26ATMA1  晶体管, MOSFET, AEC-Q101, N沟道, 35 A, 100 V, 0.02 ohm, 10 V, 1.7 VSTMICROELECTRONICS  STD40NF10  晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 100 V, 0.025 ohm, 10 V, 3 V

数据手册 --

制造商 Infineon (英飞凌) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3

封装 TO-252-3 TO-252-3

针脚数 3 3

漏源极电阻 0.02 Ω 0.025 Ω

极性 N-Channel N-Channel

耗散功率 71 W 125 W

阈值电压 1.7 V 3 V

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V

连续漏极电流(Ids) 35A 50A

上升时间 4 ns 46 ns

输入电容(Ciss) 2700pF @25V(Vds) 2180pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 71 W 125 W

下降时间 3 ns 13 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 71W (Tc) 125W (Tc)

通道数 - 1

封装 TO-252-3 TO-252-3

长度 - 6.6 mm

宽度 - 6.2 mm

高度 - 2.4 mm

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17