IRFZ46NPBF、STP55NF06、HUF75344P3对比区别
型号 IRFZ46NPBF STP55NF06 HUF75344P3
描述 INTERNATIONAL RECTIFIER IRFZ46NPBF 场效应管, N 通道, MOSFET, 55V, 53A TO-220AB 新MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsUltraFET® MOSFET，Fairchild SemiconductorUItraFET® Trench MOSFET 组合了在功率转换应用中实现基准效率的特性。 该设备可耐受雪崩模式中的高能量，且二极管展现出非常短的反向恢复时间和积累电荷。 为高频率时的效率、最低 RDS（接通）、低 ESR 和低总栅极电荷和 Miller 栅极电荷进行了优化。 应用：高频直流-直流转换器、开关调节器、电动机驱动器、低电压总线开关和电源管理。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
数据手册 ---
制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
额定电压(DC) 55.0 V 60.0 V 55.0 V
额定电流 53.0 A 50.0 A 75.0 A
通道数 1 1 1
针脚数 3 3 -
漏源极电阻 16.5 mΩ 0.015 Ω 8 mΩ
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 107 W 30 W 285 W
产品系列 IRFZ46N - -
阈值电压 4 V 3 V -
输入电容 1696pF @25V - -
漏源极电压(Vds) 55 V 60 V 55 V
漏源击穿电压 55 V 60.0 V 55 V
栅源击穿电压 ±20.0 V ±20.0 V ±20.0 V
连续漏极电流(Ids) 53.0 A 50.0 A 75.0 A
上升时间 76.0 ns 50 ns 125 ns
输入电容(Ciss) 1696pF @25V(Vds) 1300pF @25V(Vds) 3200pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 107 W 110 W 285 W
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
额定功率 - 110 W -
下降时间 - 15 ns 57 ns
耗散功率(Max) - 110W (Tc) 285W (Tc)
长度 10.66 mm 10.4 mm 10.67 mm
高度 16.51 mm 9.15 mm 16.3 mm
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
宽度 - 4.6 mm 4.7 mm
工作温度 -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Rail, Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -
ECCN代码 - - EAR99