MJW1302A、MJW1302AG对比区别
描述 互补NPN -PNP硅功率双极晶体管 Complementary NPN-PNP Silicon Power Bipolar TransistorsON SEMICONDUCTOR MJW1302AG 单晶体管 双极, PNP, -230 V, 30 MHz, 200 W, -15 A, 12 hFE 新
数据手册 --
制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)
分类 双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole
封装 TO-247-3 TO-247-3
引脚数 - 3
额定电压(DC) -230 V -230 V
额定电流 -15.0 A -15.0 A
极性 PNP PNP, P-Channel
耗散功率 200 W 200 W
击穿电压(集电极-发射极) 230 V 230 V
集电极最大允许电流 15A 15A
最小电流放大倍数(hFE) 50 @7A, 5V 50
额定功率(Max) 200 W 200 W
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃
频率 - 30 MHz
针脚数 - 3
最大电流放大倍数(hFE) - 200
直流电流增益(hFE) - 12
耗散功率(Max) - 200000 mW
长度 16.26 mm 16.26 mm
宽度 5.3 mm 5.3 mm
高度 21.08 mm 21.08 mm
封装 TO-247-3 TO-247-3
工作温度 -65℃ ~ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ)
材质 - Silicon
产品生命周期 Unknown Active
包装方式 Tube Tube
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead Lead Free
REACH SVHC版本 - 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 EAR99