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APT50M50JFLL、STE70NM50、APT50M50JLL对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 APT50M50JFLL STE70NM50 APT50M50JLL

描述 功率MOS 7 R FREDFET POWER MOS 7 R FREDFETSTMICROELECTRONICS  STE70NM50  晶体管, MOSFET, N沟道, 30 A, 500 V, 45 mohm, 10 V, 4 VTrans MOSFET N-CH 500V 71A 4Pin SOT-227

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) ST Microelectronics (意法半导体) Microsemi (美高森美)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Screw Screw Screw

引脚数 4 4 4

封装 SOT-227 ISOTOP-4 SOT-227-4

额定电压(DC) 500 V 500 V 500 V

额定电流 71.0 A 70.0 A 71.0 A

耗散功率 - 600 W 595W (Tc)

输入电容 10.6 nF - 10.6 nF

栅电荷 200 nC - 200 nC

漏源极电压(Vds) 500 V 500 V 500 V

连续漏极电流(Ids) 71.0 A 30.0 A 71.0 A

上升时间 18 ns 58 ns 18 ns

输入电容(Ciss) 10550pF @25V(Vds) 7500pF @25V(Vds) 10550pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - 600 W 595 W

下降时间 10 ns 46 ns 10 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -65 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 595000 mW 600W (Tc) 595W (Tc)

额定功率 - 600 W -

针脚数 - 4 -

漏源极电阻 - 45 mΩ -

极性 N-CH N-Channel -

阈值电压 - 4 V -

漏源击穿电压 - 500 V -

栅源击穿电压 - ±30.0 V -

封装 SOT-227 ISOTOP-4 SOT-227-4

长度 - 38.2 mm -

宽度 - 25.5 mm -

高度 - 9.1 mm -

工作温度 - 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 - EAR99 -