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APT50M50JLL

APT50M50JLL

数据手册.pdf
APT50M50JLL中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 500 V

额定电流 71.0 A

耗散功率 595W Tc

输入电容 10.6 nF

栅电荷 200 nC

漏源极电压Vds 500 V

连续漏极电流Ids 71.0 A

上升时间 18 ns

输入电容Ciss 10550pF @25VVds

额定功率Max 595 W

下降时间 10 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 595W Tc

封装参数

安装方式 Screw

引脚数 4

封装 SOT-227-4

外形尺寸

封装 SOT-227-4

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

APT50M50JLL引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
APT50M50JLL Microsemi 美高森美 Trans MOSFET N-CH 500V 71A 4Pin SOT-227 搜索库存
替代型号APT50M50JLL
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: APT50M50JLL

品牌: Microsemi 美高森美

封装: SOT-227 500V 71A 10.6nF

当前型号

Trans MOSFET N-CH 500V 71A 4Pin SOT-227

当前型号

型号: APT50M50JFLL

品牌: 美高森美

封装: SOT-227 N-CH 500V 71A 10.6nF

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