DMN3110S、SI2304BDS-T1-GE3对比区别
描述 DIODES INC. DMN3110S 晶体管, MOSFET, 增强模式, N沟道, 3.3 A, 30 V, 0.054 ohm, 10 V, 1 VVISHAY SI2304BDS-T1-GE3 场效应管, MOSFET, N沟道, 30V, 3.2A, TO-236
数据手册 --
制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世)
分类 N沟道MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount -
引脚数 3 3
封装 SOT-23 TO-236
漏源极电阻 0.054 Ω 0.105 Ω
极性 N-Channel N-Channel
耗散功率 740 mW 750 mW
阈值电压 1 V 3 V
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃
针脚数 - 3
连续漏极电流(Ids) - 3.20 A
上升时间 - 12.5 ns
输入电容(Ciss) - 225pF @15V(Vds)
下降时间 - 15 ns
耗散功率(Max) - 750 mW
封装 SOT-23 TO-236
高度 - 1.02 mm
工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active Unknown
包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
REACH SVHC标准 No SVHC -
REACH SVHC版本 2015/12/17 -
含铅标准 - Lead Free