DMN3110S
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Vishay Semiconductor
威世
晶体管
DMN3110S中文资料参数规格
技术参数
漏源极电阻 0.054 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 740 mW
阈值电压 1 V
漏源极电压Vds 30 V
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23
外形尺寸
封装 SOT-23
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Cut Tape CT
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
DMN3110S引脚图与封装图
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在线购买DMN3110S
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| DMN3110S | Vishay Semiconductor 威世 | DIODES INC. DMN3110S 晶体管, MOSFET, 增强模式, N沟道, 3.3 A, 30 V, 0.054 ohm, 10 V, 1 V | 搜索库存 |
替代型号DMN3110S
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： DMN3110S 品牌： Vishay Semiconductor 威世 封装： SOT-23 N-Channel | 当前型号 | DIODES INC. DMN3110S 晶体管, MOSFET, 增强模式, N沟道, 3.3 A, 30 V, 0.054 ohm, 10 V, 1 V | 当前型号 |
| 型号： SI2304BDS-T1-GE3 品牌： 威世 封装： TO-236 N-Channel 30V 3.2A | 功能相似 | VISHAY SI2304BDS-T1-GE3 场效应管, MOSFET, N沟道, 30V, 3.2A, TO-236 | DMN3110S和SI2304BDS-T1-GE3的区别 |