BD435S、BD435STU、BD435G对比区别

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型号 BD435S BD435STU BD435G

描述 Trans GP BJT NPN 32V 4A 3Pin(3+Tab) TO-126 BulkBD435STU 管装塑料中功率型硅NPN晶体管 Plastic Medium Power Silicon NPN Transistor

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 - 3 3

封装 TO-126-3 TO-126-3 TO-126-3

频率 3 MHz 3 MHz 3 MHz

耗散功率 36 W 36 W 36 W

击穿电压(集电极-发射极) 32 V 32 V 32 V

最小电流放大倍数(hFE) 40 @10mA, 5V 40 @10mA, 5V 85 @500mA, 1V

额定功率(Max) 36 W 36 W 36 W

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -65 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 36000 mW 36000 mW 36000 mW

额定电压(DC) 32.0 V - 32.0 V

额定电流 4.00 A - 4.00 A

极性 NPN - NPN

集电极最大允许电流 4A - 4A

封装 TO-126-3 TO-126-3 TO-126-3

宽度 3.25 mm - 2.66 mm

材质 - Silicon Silicon

工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Unknown Active

包装方式 Bulk Rail, Tube Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 EAR99 - EAR99