FDN327N、ZXMN2A01FTA、AO3414对比区别

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型号 FDN327N ZXMN2A01FTA AO3414

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDN327N  晶体管, MOSFET, N沟道, 2 A, 20 V, 70 mohm, 4.5 V, 700 mVZXMN2A01 系列 20 V 0.12 Ohm N 沟道 增强模式 MOSFET - SOT-23-320V,3A,N沟道MOSFET

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Diodes (美台) Alpha & Omega Semiconductor (万代半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

额定电压(DC) 20.0 V 20.0 V -

额定电流 2.00 A 2.09 A -

通道数 - 1 -

针脚数 3 3 -

漏源极电阻 0.04 Ω 0.12 Ω -

极性 N-Channel N-Channel N-CH

耗散功率 500 mW 806 mW 1.4 W

阈值电压 700 mV 700 mV -

漏源极电压(Vds) 20 V 20 V 20 V

漏源击穿电压 20.0 V 20 V -

栅源击穿电压 ±8.00 V ±12.0 V -

连续漏极电流(Ids) 2.00 A 2.20 A 3A

上升时间 6.5 ns 5.21 ns 3.2 ns

输入电容(Ciss) 423pF @10V(Vds) 303pF @15V(Vds) 436pF @10V(Vds)

额定功率(Max) 460 mW 625 mW 1.4 W

下降时间 2 ns 6.42 ns 3 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

工作结温(Max) - 150 ℃ -

耗散功率(Max) 500mW (Ta) 806 mW 1.4W (Ta)

输入电容 423 pF - -

栅电荷 4.50 nC - -

长度 2.92 mm 3.04 mm -

宽度 1.4 mm 1.4 mm -

高度 0.94 mm 1.02 mm -

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

军工级 - Yes -

REACH SVHC版本 2015/06/15 2014/12/17 -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -

香港进出口证 - - NLR