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VND810PEP-E、VND810PEPTR-E对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 VND810PEP-E VND810PEPTR-E

描述 双通道高侧驱动器 DOUBLE CHANNEL HIGH SIDE DRIVER双通道高侧驱动器 DOUBLE CHANNEL HIGH SIDE DRIVER

数据手册 --

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 FET驱动器FET驱动器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 12 12

封装 PowerSSO-12 PowerSSO-12

输出接口数 2 2

耗散功率 54000 mW 54000 mw

输出电流(Max) 3.5 A 3.5 A

耗散功率(Max) 54000 mw 54000 mW

电源电压 13 V 13 V

工作温度(Max) 150 ℃ -

工作温度(Min) -40 ℃ -

封装 PowerSSO-12 PowerSSO-12

工作温度 -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free