STP10NK80ZFP、STP4NK60ZFP、SPA08N80C3对比区别

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型号 STP10NK80ZFP STP4NK60ZFP SPA08N80C3

描述 STMICROELECTRONICS  STP10NK80ZFP  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 9 A, 800 V, 0.78 ohm, 10 V, 3.75 VSTMICROELECTRONICS  STP4NK60ZFP  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4 A, 600 V, 2 ohm, 10 V, 3.75 VINFINEON  SPA08N80C3  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 8 A, 800 V, 650 mohm, 10 V, 3 V

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

额定功率 40 W 25 W 40 W

针脚数 3 3 3

漏源极电阻 0.78 Ω 2 Ω 650 mΩ

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 40 W 25 W 40 W

阈值电压 3.75 V 3.75 V 3 V

输入电容 2180 pF - -

漏源极电压(Vds) 800 V 600 V 800 V

漏源击穿电压 800 V - 800 V

栅源击穿电压 ±30.0 V - -

连续漏极电流(Ids) 9.00 A 4.00 A 8.00 A

上升时间 20 ns 9.5 ns 15 ns

输入电容(Ciss) 2180pF @25V(Vds) 510pF @25V(Vds) 1100pF @100V(Vds)

额定功率(Max) 40 W 25 W 40 W

下降时间 17 ns 16.5 ns 7 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 40W (Tc) 25000 mW 40W (Tc)

额定电压(DC) - - 800 V

额定电流 - - 8.00 A

通道数 - 1 1

长度 10.4 mm 10.4 mm 10.65 mm

宽度 4.6 mm 4.6 mm 4.85 mm

高度 9.3 mm 9.3 mm 16.15 mm

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Obsolete

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/12/17

ECCN代码 - - EAR99