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STP10NK80ZFP

STP10NK80ZFP

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STMICROELECTRONICS  STP10NK80ZFP  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 9 A, 800 V, 0.78 ohm, 10 V, 3.75 V

N 通道 MDmesh™ SuperMESH™，700V 至 1200V，STMicroelectronics


得捷:
MOSFET N-CH 800V 9A TO220FP


欧时:
STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 Si N沟道 MOSFET STP10NK80ZFP, 9 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-220FP封装


立创商城:
N沟道 800V 9A


贸泽:
MOSFET N-Ch 800 Volt 9 Amp Zener SuperMESH


e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 800 V, 9 A, 0.78 ohm, TO-220FP, 通孔


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 800V 9A 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube


安富利:
Trans MOSFET N-CH 800V 9A 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube


富昌:
STP10NK80ZFP 系列 N 沟道 800 V 0.9 Ω SuperMESH 功率 MOSFET - TO-220FP


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3A; 40W; TO220FP


Verical:
Trans MOSFET N-CH 800V 9A 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube


Newark:
# STMICROELECTRONICS  STP10NK80ZFP  Power MOSFET, N Channel, 9 A, 800 V, 0.78 ohm, 10 V, 3.75 V


力源芯城:
800V,0.78Ω,9A,N沟道功率MOSFET


Win Source:
MOSFET N-CH 800V 9A TO-220FP


STP10NK80ZFP中文资料参数规格
技术参数

额定功率 40 W

针脚数 3

漏源极电阻 0.78 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 40 W

阈值电压 3.75 V

输入电容 2180 pF

漏源极电压Vds 800 V

漏源击穿电压 800 V

栅源击穿电压 ±30.0 V

连续漏极电流Ids 9.00 A

上升时间 20 ns

输入电容Ciss 2180pF @25VVds

额定功率Max 40 W

下降时间 17 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 40W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.4 mm

宽度 4.6 mm

高度 9.3 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

制造应用 Industrial, 工业

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

STP10NK80ZFP引脚图与封装图
STP10NK80ZFP引脚图

STP10NK80ZFP引脚图

STP10NK80ZFP封装图

STP10NK80ZFP封装图

STP10NK80ZFP封装焊盘图

STP10NK80ZFP封装焊盘图

在线购买STP10NK80ZFP
型号 制造商 描述 购买
STP10NK80ZFP ST Microelectronics 意法半导体 STMICROELECTRONICS  STP10NK80ZFP  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 9 A, 800 V, 0.78 ohm, 10 V, 3.75 V 搜索库存
替代型号STP10NK80ZFP
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： STP10NK80ZFP

品牌： ST Microelectronics 意法半导体

封装： TO-220FP N-Channel 800V 9A 900mΩ

当前型号

STMICROELECTRONICS  STP10NK80ZFP  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 9 A, 800 V, 0.78 ohm, 10 V, 3.75 V

当前型号

型号： STP4NK60ZFP

品牌： 意法半导体

封装： TO-220FP N-Channel 600V 4A

类似代替

STMICROELECTRONICS  STP4NK60ZFP  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4 A, 600 V, 2 ohm, 10 V, 3.75 V

STP10NK80ZFP和STP4NK60ZFP的区别

型号： STP10NK60ZFP

品牌： 意法半导体

封装： TO-220FP N-Channel 600V 10A 750mΩ

类似代替

STMICROELECTRONICS  STP10NK60ZFP  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 10 A, 600 V, 0.65 ohm, 10 V, 3.75 V

STP10NK80ZFP和STP10NK60ZFP的区别

型号： STP6NK60ZFP

品牌： 意法半导体

封装： TO-220FP N-Channel 600V 6A

类似代替

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STP10NK80ZFP和STP6NK60ZFP的区别